国内自主存储 DRAM 技术开发阵营之一的福建晋华，日前被美国商务部以国家安全为由，列入出口管制清单，美国三大半导体设备商 Applied Materials 、 Lam Research 、 Axcelis 在禁令实施当天就立刻撤出福建晋华的 12 寸厂，而福建晋华的 DRAM 技术开发合作方台湾联电也在 10 月 31 日正式表态，决定停止该 DRAM 开发计划。
国内每年进口的集成电路产品金额超过 2600 亿美元，超过石油的进口金额，但国内自制芯片的比重却不到 30%，这当中最为缺乏的产品就是存储芯片，包含 DRAM 和 NAND Flash 两大产品，因此这几年国内逐渐形成三大存储阵营积极自主研发，分别为 DRAM 项目的福建晋华和合肥长鑫，以及研发生产 NAND Flash 芯片的长江存储。
（来源：福建晋华官网）
论起自主研发存储芯片，DRAM 项目其实比 NAND Flash 项目更为困难且敏感。全球可以生产 NAND Flash 芯片的供应商还有 5 ~ 6 家，但全球有能力生产 DRAM 的供应商却只剩下三星电子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三家，可想而知这三家大厂会将 DRAM 技术列入保护的最高等级。美国这次将福建晋华列为出口管制清单企业，也反映美国对于 DRAM 技术保护的程度。
据供应链透露，10 月 30 日是美国实施出口管制的第一天，美国三大半导体设备商 Applied Materials 、 Lam Research 、 Axcelis 当天就将驻厂人员全数撤出福建晋华的 12 寸厂，所有的机台设备装机、协助生产的动作全面停止，而已下单但未出货的机台设备则全数暂停出货。
其他美国的设备材料供应商还有 KLA-Tencor 、 Gatan 、 ECI Technology 、 Bruker 、 Engegris 等，另外像是美系的芯片设计工具 EDA 供应商也都列为管制项目的清单中。
值得注意的是，福建晋华的 DRAM 技术合作开发伙伴台湾联电在 10 月 31 日正式指出，将停止 DRAM 开发项目。
（来源：福建晋华官网）
福建晋华是新兴的 DRAM 技术阵营，由福建省电子资讯集团及晋江能源投资集团合资成立，投资金额超过 50 亿美元，预计年底进入生产，单月产能规模为 6 万片，未来五年第二期的规模为单月 12 万片产能。
2016 年，福建晋华委托台湾联电做 DRAM 技术开发，根据合约协议为开发两个世代的技术，包括 32 纳米和 2x 纳米工艺，合计 4 亿美元的代价，委托台湾联电进行 DRAM 技术开发，未来该技术将分属福建晋华和联电共同持有。
其实，今年以来福建晋华在关键机台的取得上一直被美光阻挡，部分美光拥有专利的 DRAM 机台设备，严禁出口给福建晋华，但因为数目不多，因此对福建晋华产生的影响有限，不像是这次全面性的禁售。
美光先前控告两名台湾的离职员工携带机密资料到联电任职，协助福建晋华进行 DRAM 开发，这两名离职员工也因此被起诉。同时，美光也针对联电提出控告，不过，联电在台湾并未被起诉，仅被认为未善尽管理之责。
不料，去年底美光又在美国加州针对联电控告妨碍营业秘密，联电回应并无侵犯美光知识产权的事实。
（来源：联电官网）
而这场司法大战的最高潮，应该是发展到今年 7 月，福建晋华/联电阵营，以及美光在中国进行知识产权和专利诉讼，最后，福州中级法院宣判美光确实有侵犯福建晋华/联电在部分 DRAM 和 NAND Flash 存储技术上的专利，导致美光的部分存储产品在国内禁运。业界认为，这件事是引爆整起事件情势演变迄今的导火线。
整个风暴发生至今仅四天的时间，力道却是又急又猛烈。10 月 29 日美国商务部宣布出口禁令，10 月 30 日该禁令实施后，所有美系供应商撤出福建晋华，发展到 10 月 31 日，晋华的 DRAM 技术开发伙伴联电也宣布停止。
未来福建晋华的 DRAM 技术开发案是否将全数停摆？或是还有一线生机？只能继续等待。在联电退出后，现在最关键的问题是生产设备都无法进口，这样的局势发展，真的所有合作方都是始料未及的。
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